Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI1416EDH-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4333756

SI1416EDH-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.146
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI1416EDH-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI1416EDH-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-363
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    58 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    SI1416EDH-T1-GE3-ND
    SI1416EDH-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 3.9A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI1416EDH-T1-GE3”.
SI1413DH-T1-E3

SI1413DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1419DH-T1-E3

SI1419DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1428EDH-T1-GE3

SI1428EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1431DH-T1-E3

SI1431DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1411DH-T1-E3

SI1411DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413EDH-T1-E3

SI1413EDH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1417EDH-T1-GE3

SI1417EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1406DH-T1-E3

SI1406DH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1410EDH-T1-E3

SI1410EDH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413DH-T1-GE3

SI1413DH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1406DH-T1-GE3

SI1406DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1426DH-T1-GE3

SI1426DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1422DH-T1-GE3

SI1422DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1426DH-T1-E3

SI1426DH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1414DH-T1-GE3

SI1414DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.