Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI1406DH-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2288761

SI1406DH-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI1406DH-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI1406DH-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    65 mOhm @ 3.9A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    SI1406DH-T1-GE3TR
    SI1406DHT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI1406DH-T1-GE3”.
SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1403BDL-T1-E3

SI1403BDL-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1405BDH-T1-GE3

SI1405BDH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1404BDH-T1-GE3

SI1404BDH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1411DH-T1-E3

SI1411DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1405BDH-T1-E3

SI1405BDH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1403BDL-T1-GE3

SI1403BDL-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1414DH-T1-GE3

SI1414DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1405DL-T1-E3

SI1405DL-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1406DH-T1-E3

SI1406DH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413DH-T1-E3

SI1413DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1403CDL-T1-GE3

SI1403CDL-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1410EDH-T1-E3

SI1410EDH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413EDH-T1-E3

SI1413EDH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1413DH-T1-GE3

SI1413DH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1404BDH-T1-E3

SI1404BDH-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.