Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI1070X-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6835621Obraz SI1070X-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1070X-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI1070X-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI1070X-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.55V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-89-6
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    236mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Inne nazwy
    SI1070X-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    385pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.3nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI1070X-T1-GE3”.
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V SC89

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.