Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > NSB8KTHE3_A/I
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
855234Obraz NSB8KTHE3_A/I.Electro-Films (EFI) / Vishay

NSB8KTHE3_A/I

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$0.838
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NSB8KTHE3_A/I
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NSB8KTHE3_A/I.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263AB
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    55pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NSB8KTHE3_A/I”.
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8JTHE3_A/I

NSB8JTHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB9703

NSB9703

Opis: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Producenci: Desco
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8JTHE3_A/P

NSB8JTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8JT-E3/81

NSB8JT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8JTHE3/45

NSB8JTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8JTHE3/81

NSB8JTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.