Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IRFBF20
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
634225Obraz IRFBF20.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBF20

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IRFBF20
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1.IRFBF20.pdf
    2.IRFBF20.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    54W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    *IRFBF20
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    490pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IRFBF20”.
IRFBF20STRR

IRFBF20STRR

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20STRL

IRFBF20STRL

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20S

IRFBF20S

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30STRLPBF

IRFBE30STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20LPBF

IRFBF20LPBF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20L

IRFBF20L

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20PBF

IRFBF20PBF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20STRRPBF

IRFBF20STRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF30

IRFBF30

Opis: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBF20STRLPBF

IRFBF20STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.