Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IRFBE20
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2707517Obraz IRFBE20.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE20

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IRFBE20
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1.IRFBE20.pdf
    2.IRFBE20.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    54W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    *IRFBE20
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    530pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IRFBE20”.
IRFBC40STRR

IRFBC40STRR

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40SPBF

IRFBC40SPBF

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40LPBF

IRFBC40LPBF

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40LCSTRL

IRFBC40LCSTRL

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40S

IRFBC40S

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40PBF

IRFBC40PBF

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40LCS

IRFBC40LCS

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20S

IRFBE20S

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20L

IRFBE20L

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFBC40LCSTRR

IRFBC40LCSTRR

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.