Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES3AHE3_A/H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6615222Obraz ES3AHE3_A/H.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES3AHE3_A/H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1700+
$0.311
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES3AHE3_A/H
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    900mV @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    53 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    ES3A
ES3AHE3/57T

ES3AHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3B M6G

ES3B M6G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3B V6G

ES3B V6G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3A-E3/57T

ES3A-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3B

ES3B

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES3A-13-F

ES3A-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES3A-E3/51T

ES3A-E3/51T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3B-13-F

ES3B-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES3AHE3/9AT

ES3AHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3B R7G

ES3B R7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3AHR7G

ES3AHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3AB-13-F

ES3AB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES3A-M3/57T

ES3A-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3B V7G

ES3B V7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3AHM6G

ES3AHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3AB-13

ES3AB-13

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES3B-13

ES3B-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES3A-E3/9AT

ES3A-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3A-M3/9AT

ES3A-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3AHE3_A/I

ES3AHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść