Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > DTV32B-E3/81
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
424291Obraz DTV32B-E3/81.Electro-Films (EFI) / Vishay

DTV32B-E3/81

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DTV32B-E3/81
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO263AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1500V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263AB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    175ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1500V 10A Surface Mount TO-263AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 1500V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    10A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    DTV32
1N4448_T50R

1N4448_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
PMEG2005EJ,115

PMEG2005EJ,115

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323F

Producenci: Nexperia
Na stanie
DTV1500HDFP

DTV1500HDFP

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
DTV32B-E3/45

DTV32B-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
R7202206XXOO

R7202206XXOO

Opis: DIODE GP 2.2KV 600A DO200AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
JANTX1N5804US

JANTX1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
121NQ045-1

121NQ045-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 120A PRM1-1

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
R9G00412XX

R9G00412XX

Opis: DIODE MODULE 400V 1200A DO200AB

Producenci: Powerex Inc.
Na stanie
DTV1500SDFP

DTV1500SDFP

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
DSEP9-06CR

DSEP9-06CR

Opis: DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247

Producenci: IXYS
Na stanie
DTV56F-E3/45

DTV56F-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A ITO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS07J-GS08

RS07J-GS08

Opis: DIODE GP 600V 500MA DO219AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DTV6-2RN

DTV6-2RN

Opis: SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 125V

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
DTV56-E3/45

DTV56-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DTV56L-E3/45

DTV56L-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DTV32-E3/45

DTV32-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SF32GHR0G

SF32GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
DTV6-2RN2

DTV6-2RN2

Opis: SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 125V

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
DTV6-2RN4

DTV6-2RN4

Opis: ENCLOSED SWES V6MANUAL PALM

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
DTV32F-E3/45

DTV32F-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A ITO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść