Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXMN10A08E6TA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6583123Obraz ZXMN10A08E6TA.Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.71
10+
$0.597
100+
$0.448
500+
$0.328
1000+
$0.254
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXMN10A08E6TA
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXMN10A08E6TA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-26
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • Inne nazwy
    ZXMN10A08E6CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXMN10A08E6TA”.
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Opis: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Opis: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Opis: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Opis: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.