Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZXM61N02FTC
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1594674Obraz ZXM61N02FTC.Diodes Incorporated

ZXM61N02FTC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.186
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZXM61N02FTC
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZXM61N02FTC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 930mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    625mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    160pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.4nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZXM61N02FTC”.
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM41N10FTC

ZXM41N10FTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM41N10FTA

ZXM41N10FTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM64N035GTA

ZXM64N035GTA

Opis: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62P03GTA

ZXM62P03GTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62N03GTA

ZXM62N03GTA

Opis: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM63N02E6TA

ZXM63N02E6TA

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM64N02XTC

ZXM64N02XTC

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61P03FTC

ZXM61P03FTC

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61N03FTC

ZXM61N03FTC

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.