Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVN4206GTC
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5775362Obraz ZVN4206GTC.Diodes Incorporated

ZVN4206GTC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.435
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVN4206GTC
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    ZVN4206GTC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    100pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVN4206GTC”.
ZVN4206GVTA

ZVN4206GVTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206ASTOA

ZVN4206ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210ASTOB

ZVN4210ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206GTA

ZVN4206GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210GTA

ZVN4210GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210ASTZ

ZVN4210ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206AV

ZVN4206AV

Opis: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206AVSTZ

ZVN4206AVSTZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206A

ZVN4206A

Opis: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206GVTC

ZVN4206GVTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210ASTOA

ZVN4210ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206NTC

ZVN4206NTC

Opis: MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210GTC

ZVN4210GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206NTA

ZVN4206NTA

Opis: MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4106FTC

ZVN4106FTC

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206AVSTOB

ZVN4206AVSTOB

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4210A

ZVN4210A

Opis: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN4206AVSTOA

ZVN4206AVSTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.