Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > ZVN2106GTC
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3919033Obraz ZVN2106GTC.Diodes Incorporated

ZVN2106GTC

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ZVN2106GTC
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 0.71A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    ZVN2106GTC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    75pF @ 18V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 710mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    710mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ZVN2106GTC”.
ZVN2120ASTZ

ZVN2120ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110GTC

ZVN2110GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110GTA

ZVN2110GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2120A

ZVN2120A

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN0545GTC

ZVN0545GTC

Opis: MOSFET N-CH 450V 0.14A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110ASTZ

ZVN2110ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110ASTOA

ZVN2110ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110ASTOB

ZVN2110ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2106A

ZVN2106A

Opis: MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2120ASTOA

ZVN2120ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2120ASTOB

ZVN2120ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN0545GTA

ZVN0545GTA

Opis: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2110A

ZVN2110A

Opis: MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2106ASTOB

ZVN2106ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2106GTA

ZVN2106GTA

Opis: MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2106ASTZ

ZVN2106ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN1409ASTZ

ZVN1409ASTZ

Opis: MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN1409ASTOA

ZVN1409ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN1409ASTOB

ZVN1409ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ZVN2106ASTOA

ZVN2106ASTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.