Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S8NC-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
873402Obraz S8NC-13.Diodes Incorporated

S8NC-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.68
10+
$0.598
100+
$0.459
500+
$0.363
1000+
$0.29
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S8NC-13
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A SMC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMC
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S8NC-13DICT
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1200V 8A Surface Mount SMC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    40pF @ 4V, 1MHz
NTS10100EMFST3G

NTS10100EMFST3G

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
SGL41-60-E3/96

SGL41-60-E3/96

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
20ETS12STRL

20ETS12STRL

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
F1892D1000

F1892D1000

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 90A MODULE

Producenci: Crydom
Na stanie
62-0245PBF

62-0245PBF

Opis: DIODE SHOCTTKY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
GP10D-4003HE3/54

GP10D-4003HE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SFA1004GHC0G

SFA1004GHC0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
V20DL45-M3/I

V20DL45-M3/I

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MUR2540

MUR2540

Opis: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S3GBHR5G

S3GBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
B340CE-13

B340CE-13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S1K R3G

S1K R3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
STPS5H100AFY

STPS5H100AFY

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 5A SOD128

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
MR756

MR756

Opis: DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
UF1002-T

UF1002-T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
B140-13-F

B140-13-F

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
AR3PK-M3/87A

AR3PK-M3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
LS4148 L1G

LS4148 L1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 450MA SOD80

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5802US

1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść