Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1N-13-F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
392307Obraz S1N-13-F.Diodes Incorporated

S1N-13-F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.061
10000+
$0.055
25000+
$0.051
50000+
$0.045
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1N-13-F
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    STANDARD RECOVERY RECTIFIER SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMA
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    S1N-13-FDITR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1200V 1A Surface Mount SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    6pF @ 4V, 1MHz
SF28G R0G

SF28G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
JANTXV1N6630US

JANTXV1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
MBR40250

MBR40250

Opis: DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
SS215 M4G

SS215 M4G

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
FMXA-4206S

FMXA-4206S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO3PF

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
1N4935-E3/54

1N4935-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SS26L RUG

SS26L RUG

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
MBRB745-E3/81

MBRB745-E3/81

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4459

1N4459

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
VF20120SG-M3/4W

VF20120SG-M3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2DHE3/5BT

ES2DHE3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SR105HA0G

SR105HA0G

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
VS-95PF140W

VS-95PF140W

Opis: DIODE STD RECOVERY 95A DO-5

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
U1B-M3/61T

U1B-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
60HFUR-500

60HFUR-500

Opis: DIODE GEN PURP 500V 60A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
NSVR0240P2T5G

NSVR0240P2T5G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
SF46GHB0G

SF46GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BYD33JGPHE3/54

BYD33JGPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
STPS3L60Q

STPS3L60Q

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO15

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść