Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > MMBT123S-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3656003Obraz MMBT123S-7.Diodes Incorporated

MMBT123S-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30000+
$0.097
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MMBT123S-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MMBT123S-7.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    18V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    500mV @ 30mA, 300mA
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Moc - Max
    300mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    MMBT123SDITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Częstotliwość - Transition
    100MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    150 @ 100mA, 1V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    1µA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    1A
  • Podstawowy numer części
    MMBT123S

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MMBT123S-7”.
MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

Opis: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT200A

MMBT200A

Opis: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

Opis: JFET N-CH 25V 30MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Opis: TRANS NPN 40V 1A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2132T3

MMBT2132T3

Opis: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

Opis: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT200

MMBT200

Opis: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2222

MMBT2222

Opis: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT100A

MMBT100A

Opis: DIE TRANS NPN 45V GENERAL PURP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

Opis: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT123S-7-F

MMBT123S-7-F

Opis: TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MMBFV170LT3G

MMBFV170LT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2131T1G

MMBT2131T1G

Opis: TRANS PNP 30V 0.7A SC74-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2132T3G

MMBT2132T3G

Opis: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT100

MMBT100

Opis: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFU310LT1

MMBFU310LT1

Opis: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFJ310

MMBFJ310

Opis: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBFJ310LT1

MMBFJ310LT1

Opis: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBT2222A RFG

MMBT2222A RFG

Opis: TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Opis: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.