Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > KBJ606G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
48668Obraz KBJ606G.Diodes Incorporated

KBJ606G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.20
20+
$1.071
100+
$0.835
500+
$0.69
1000+
$0.545
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    KBJ606G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    RECT BRIDGE GPP 6A 600V KBJ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    600V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 3A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    KBJ
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    4-SIP, KBJ
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJ
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
KBJ406G

KBJ406G

Opis: DIODE BRIDGE 600V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ401G

KBJ401G

Opis: DIODE BRIDGE 100V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ4005G

KBJ4005G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ408G

KBJ408G

Opis: DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ408G

KBJ408G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 800V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ6005G

KBJ6005G

Opis: RECT BRIDGE GPP 6A 50V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ402G

KBJ402G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 200V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ406G

KBJ406G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 600V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ608G

KBJ608G

Opis: RECT BRIDGE GPP 6A 800V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ404G

KBJ404G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ604G

KBJ604G

Opis: RECT BRIDGE GPP 6A 400V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ602G

KBJ602G

Opis: RECT BRIDGE GPP 6A 200V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ401G

KBJ401G

Opis: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ410G

KBJ410G

Opis: DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ610G

KBJ610G

Opis: RECT BRIDGE GPP 6A 1000V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ402G

KBJ402G

Opis: DIODE BRIDGE 200V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ410G

KBJ410G

Opis: RECT BRIDGE GPP 4A 1000V KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBJ404G

KBJ404G

Opis: DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
KBJ610G-BP

KBJ610G-BP

Opis: DIODE BRIDGE 6A 1000V KBJ

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
KBJ601G

KBJ601G

Opis: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 6A KBJ

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść