Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES2B-13-F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3917534Obraz ES2B-13-F.Diodes Incorporated

ES2B-13-F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.53
10+
$0.426
100+
$0.29
500+
$0.218
1000+
$0.163
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES2B-13-F
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2A SMB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    ES2B-13-F.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    920mV @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    ES2B-FDIDKR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount SMB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    ES2B

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ES2B-13-F”.
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2B-TP

ES2B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
ES2B/1

ES2B/1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2BA-13

ES2BA-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ES2AHM3/5BT

ES2AHM3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2AHM4G

ES2AHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES2B-LTP

ES2B-LTP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
ES2B R5G

ES2B R5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2B-13

ES2B-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
ES2AHE3/5BT

ES2AHE3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2AHR5G

ES2AHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES2B

ES2B

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2AHE3/52T

ES2AHE3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2AHE3_A/H

ES2AHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2AHE3_A/I

ES2AHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.