Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > DN0150ALP4-7B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1295852Obraz DN0150ALP4-7B.Diodes Incorporated

DN0150ALP4-7B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.178
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DN0150ALP4-7B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    X2-DFN1006-3
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    450mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    3-XFDFN
  • Inne nazwy
    DN0150ALP4-7BDITR
    DN0150ALP47B
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    60MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    DN0150
DN0000812

DN0000812

Opis: JACKPOST 1.2MM PANEL THICKNESS

Producenci: Bel
Na stanie
JAN2N3996

JAN2N3996

Opis: TRANS NPN 80V 10A TO111

Producenci: Microsemi
Na stanie
2SA0794AR

2SA0794AR

Opis: TRANS PNP 120V 0.5A TO-126

Producenci: Panasonic
Na stanie
BCX71K

BCX71K

Opis: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
DSA7003R0L

DSA7003R0L

Opis: TRANS PNP 50V 1A MINIP3

Producenci: Panasonic
Na stanie
DN0150BLP4-7

DN0150BLP4-7

Opis: TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DN0150ADJ-7

DN0150ADJ-7

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
2SC5201,T6MURAF(J

2SC5201,T6MURAF(J

Opis: TRANS NPN 50MA 600V TO226-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DN0150BDJ-7

DN0150BDJ-7

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DN0000824

DN0000824

Opis: JACKPOST 2.4MM PANEL THICKNESS

Producenci: Bel
Na stanie
MMBT2907AT-7-F

MMBT2907AT-7-F

Opis: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
BD681

BD681

Opis: TRANS NPN DARL 100V 4A SOT-32

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
2N4124TA

2N4124TA

Opis: TRANS NPN 25V 0.2A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
BUK9Y59-60E/GFX

BUK9Y59-60E/GFX

Opis: MOSFET N-CH LFPAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
DN0000808

DN0000808

Opis: JACKPOST 0.8MM PANEL THICKNESS

Producenci: Bel
Na stanie
DN0150ALP4-7

DN0150ALP4-7

Opis: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
BSP61E6327HTSA1

BSP61E6327HTSA1

Opis: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
2SD2662T100

2SD2662T100

Opis: TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
DN0000816

DN0000816

Opis: JACKPOST 1.6MM PANEL THICKNESS

Producenci: Bel
Na stanie
DN0150BLP4-7B

DN0150BLP4-7B

Opis: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść