Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT10H015LFG-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5095419Obraz DMT10H015LFG-7.Diodes Incorporated

DMT10H015LFG-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.483
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT10H015LFG-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 10A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMT10H015LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    13.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta), 35W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    DMT10H015LFG-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 42A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT10H015LFG-7”.
DMT1D33K

DMT1D33K

Opis: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Opis: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Producenci: Amprobe
Na stanie
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Opis: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Opis: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Opis: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Opis: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Opis: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Opis: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Opis: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.