Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMP1011UCB9-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2711566

DMP1011UCB9-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.35
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMP1011UCB9-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMP1011UCB9-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    -6V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    U-WLB1515-9
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    890mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    9-UFBGA, WLBGA
  • Inne nazwy
    DMP1011UCB9-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1060pF @ 4V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    8V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 8V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMP1011UCB9-7”.
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1022UFDE-7

DMP1022UFDE-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1022UFDF-13

DMP1022UFDF-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1009UFDF-13

DMP1009UFDF-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1022UFDF-7

DMP1022UFDF-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1011LFV-7

DMP1011LFV-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1012UFDF-13

DMP1012UFDF-13

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1005UFDF-13

DMP1005UFDF-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Opis: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1012UFDF-7

DMP1012UFDF-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1011LFV-13

DMP1011LFV-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1045U-7

DMP1045U-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055USW-7

DMP1055USW-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7

Opis: MOSFET P-CH 8V 10A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.