Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN90H2D2HCTI
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2963955Obraz DMN90H2D2HCTI.Diodes Incorporated

DMN90H2D2HCTI

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.57
50+
$1.253
100+
$1.096
500+
$0.85
1000+
$0.671
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN90H2D2HCTI
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMN90H2D2HCTI.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ITO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.2 Ohm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Inne nazwy
    DMN90H2D2HCTI-ND
    DMN90H2D2HCTIDI
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    Not Applicable
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1487pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20.3nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN90H2D2HCTI”.
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Opis: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Opis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF1-288FIB-3K

DMNF1-288FIB-3K

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Opis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Opis: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Opis: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Opis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.