Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN3033LSN-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3950430Obraz DMN3033LSN-7.Diodes Incorporated

DMN3033LSN-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.62
10+
$0.484
100+
$0.332
500+
$0.228
1000+
$0.171
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN3033LSN-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN3033LSN-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-59-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.4W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN3033LSNDIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    755pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SC-59-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN3033LSN-7”.
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Opis: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.