Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN3030LFG-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6949463Obraz DMN3030LFG-7.Diodes Incorporated

DMN3030LFG-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.196
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN3030LFG-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMN3030LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    900mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    DMN3030LFG-7DITR
    DMN3030LFG7
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    751pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN3030LFG-7”.
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Opis: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Opis: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Opis: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.