Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2015UFDE-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4271421Obraz DMN2015UFDE-7.Diodes Incorporated

DMN2015UFDE-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.222
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2015UFDE-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2015UFDE-7.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    660mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    DMN2015UFDE-7DITR
    DMN2015UFDE7
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1779pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    45.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2015UFDE-7”.
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.