Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN100-7-F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5374178Obraz DMN100-7-F.Diodes Incorporated

DMN100-7-F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.76
10+
$0.64
100+
$0.48
500+
$0.352
1000+
$0.272
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN100-7-F
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN100-7-F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-59-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    240 mOhm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN100-FDICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.1A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN100-7-F”.
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Opis: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH30V SC-59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Opis: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH30V SC-59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.