Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMG8880LSS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2200506Obraz DMG8880LSS-13.Diodes Incorporated

DMG8880LSS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.45
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG8880LSS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMG8880LSS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.43W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    1034-DMG8880LSS-13DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 11.6A (Ta) 1.43W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11.6A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMG8880LSS-13”.
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG963HE0R

DMG963HE0R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Opis: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.