Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMG3415U-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4579196Obraz DMG3415U-7.Diodes Incorporated

DMG3415U-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG3415U-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMG3415U-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    900mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMG3415U7
    DMG3415UDITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    294pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMG3415U-7”.
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Opis: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Opis: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Opis: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.