Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMG1012T-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3846349Obraz DMG1012T-7.Diodes Incorporated

DMG1012T-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.36
10+
$0.326
100+
$0.182
500+
$0.098
1000+
$0.066
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG1012T-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMG1012T-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±6V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-523
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    280mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOT-523
  • Inne nazwy
    DMG1012T-7DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    630mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMG1012T-7”.
DMG1553-2

DMG1553-2

Opis: TRANSFORMER PBC

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1016V-7

DMG1016V-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1013TQ-7

DMG1013TQ-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1553-1

DMG1553-1

Opis: TRANSFORMER PBC

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1553-3

DMG1553-3

Opis: TRANSFORMER PBC

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

Opis: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7

Opis: MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Opis: MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMG1013T-7

DMG1013T-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.