Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > DDTD114EC-7-F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1692416Obraz DDTD114EC-7-F.Diodes Incorporated

DDTD114EC-7-F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.44
10+
$0.332
100+
$0.207
500+
$0.141
1000+
$0.109
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DDTD114EC-7-F
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DDTD114EC-7-F.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DDTD114EC-7-FDICT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    200MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    500mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DDTD114EC-7-F”.
DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD122LC-7

DDTD122LC-7

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WE-7

DDTC144WE-7

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WUA-7-F

DDTC144WUA-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD122JU-7-F

DDTD122JU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD114EU-7-F

DDTD114EU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD114GC-7-F

DDTD114GC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WE-7-F

DDTC144WE-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD114TU-7-F

DDTD114TU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD113EU-7-F

DDTD113EU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD122JC-7-F

DDTD122JC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD114TC-7-F

DDTD114TC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD113EC-7-F

DDTD113EC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WCA-7-F

DDTC144WCA-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD122LC-7-F

DDTD122LC-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WKA-7-F

DDTC144WKA-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD114GU-7-F

DDTD114GU-7-F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTD122LU-7

DDTD122LU-7

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DDTC144WUA-7

DDTC144WUA-7

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.