Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5392S-T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3884187Obraz 1N5392S-T.Diodes Incorporated

1N5392S-T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5392S-T
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO41
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N5392S-T.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1.5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-41
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1.5A Through Hole DO-41
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.5A
  • Pojemność @ VR F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N5392

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5392S-T”.
1N5392GHA0G

1N5392GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5393G-T

1N5393G-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5393G B0G

1N5393G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392G B0G

1N5392G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392-E3/73

1N5392-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5392G R0G

1N5392G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392-T

1N5392-T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5393G R0G

1N5393G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392G A0G

1N5392G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5393

1N5393

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5393-E3/54

1N5393-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5392GHB0G

1N5392GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392GHR0G

1N5392GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5393-TP

1N5393-TP

Opis: DIODE GPP 1.5A DO-15

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5393GHA0G

1N5393GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5392G-T

1N5392G-T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5392-TP

1N5392-TP

Opis: DIODE GPP 1.5A DO-15

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5393G A0G

1N5393G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5393-E3/73

1N5393-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5393-T

1N5393-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.