Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > E4D20120A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
496245Obraz E4D20120A.Cree Wolfspeed

E4D20120A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$26.47
100+
$22.08
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    E4D20120A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    E SERIES, 20 AMP, 1200V G4 SCHOT
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.8V @ 20A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-2
  • Prędkość
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, E
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    0ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    Not Applicable
  • Typ diody
    Silicon Carbide Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 54.5A (DC) Through Hole TO-220-2
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    54.5A (DC)
  • Pojemność @ VR F
    1500pF @ 0V, 1MHz
1N4448WT

1N4448WT

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
STTH8S06FP

STTH8S06FP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
V20120SGHM3/4W

V20120SGHM3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
EK 19V

EK 19V

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
LXA03B600

LXA03B600

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB

Producenci: Power Integrations
Na stanie
RL104-N-2-4-AP

RL104-N-2-4-AP

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A A-405

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GS1B-TP

GS1B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
DB2J20900L

DB2J20900L

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SMINI2

Producenci: Panasonic
Na stanie
RBK83240XX

RBK83240XX

Opis: DIODE GEN PURP 3.2KV 4000A

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
SF2006PT C0G

SF2006PT C0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 20A TO247AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
LL103C-GS18

LL103C-GS18

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SOD80

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
E4DA-LS7

E4DA-LS7

Opis: ULTRASONIC 4-20MA 30-70MM

Producenci: Omron Automation & Safety
Na stanie
STPS130A

STPS130A

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
VS-20WT04FNTRL

VS-20WT04FNTRL

Opis: DIODE SCHOTTKY 20A DPAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
STTH810FP

STTH810FP

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
V15P6-M3/87A

V15P6-M3/87A

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 4.8A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
E4DA-WL1C

E4DA-WL1C

Opis: AMP FOR E4DA 3 LEVEL OUT ALARM

Producenci: Omron Automation & Safety
Na stanie
182NQ030

182NQ030

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 180A HALFPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SB180E-G

SB180E-G

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
GP10B-4002-M3/73

GP10B-4002-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść