Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > CJ3139KDW-G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4107883Obraz CJ3139KDW-G.Comchip Technology

CJ3139KDW-G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.45
10+
$0.355
100+
$0.244
500+
$0.167
1000+
$0.125
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    CJ3139KDW-G
  • Producent / marka
    Comchip Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    CJ3139KDW-G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-363
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    520 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    641-1793-1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    170pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    -
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    660mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „CJ3139KDW-G”.
CJ3037-000

CJ3037-000

Opis: HEATSHRNK LBL 3:1 .093" PRESCORE

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3141-000

CJ3141-000

Opis: SIGMAFORM TUBING

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3633-000

CJ3633-000

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 14AWG

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CJ3462-000

CJ3462-000

Opis: CONN BACKSHELL ADPT SZ 7 12 12S

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
CJ3509

CJ3509

Opis: JOYSTICK HALL 2AXIS 3 BUTTONS

Producenci: APEM Inc.
Na stanie
RFQ
IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF7306TR

IRF7306TR

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RJM0603JSC-00#12

RJM0603JSC-00#12

Opis: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
CJ3647-000

CJ3647-000

Opis: I/O CONN

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3636-000

CJ3636-000

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 10AWG

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3832-000

CJ3832-000

Opis: CONN BACKSHELL ADPT SZ 11 B M15

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDMD8540L

FDMD8540L

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CJ3837-000

CJ3837-000

Opis: 55PC CABLE

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3465-000

CJ3465-000

Opis: CONN BACKSHELL ADPT SZ 9 A M12

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
CJ3635-000

CJ3635-000

Opis: HOOK-UP DL WALL STRND 10AWG RED

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Opis: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.