Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > CEDM8001VL TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3033634Obraz CEDM8001VL TR.Central Semiconductor

CEDM8001VL TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.49
10+
$0.387
100+
$0.265
500+
$0.182
1000+
$0.136
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    CEDM8001VL TR
  • Producent / marka
    Central Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    CEDM8001VL TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-883VL
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 Ohm @ 10mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    100mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-101, SOT-883
  • Inne nazwy
    CEDM8001VL DKR
    CEDM8001VL DKR-ND
    CEDM8001VLDKR
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    45pF @ 3V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.66nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SOT-883VL
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „CEDM8001VL TR”.
CEDS0524V-G

CEDS0524V-G

Opis: TVS DIODE 24V 25V SOT23-5

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
CEDM7004 BK

CEDM7004 BK

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFR9014N

IRFR9014N

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CEDM8004 BK

CEDM8004 BK

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDM7004VL TR

CEDM7004VL TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDM8004VL TR

CEDM8004VL TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CEDM7001 BK

CEDM7001 BK

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CEDM8001 BK

CEDM8001 BK

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPP20N60C3HKSA1

SPP20N60C3HKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CEDM7001VL TR

CEDM7001VL TR

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDM7004 TR

CEDM7004 TR

Opis: MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK9604-40A,118

BUK9604-40A,118

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
CEDM7002AE TR

CEDM7002AE TR

Opis: MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDM8004 TR

CEDM8004 TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDS055V0-G

CEDS055V0-G

Opis: TVS DIODE 5V 7V SOT23-5

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
CEDM8001 TR

CEDM8001 TR

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCH041N65F-F085

FCH041N65F-F085

Opis: MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CEDM7001 TR

CEDM7001 TR

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.