Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - Bipolar (BJT) - RF > NE58219-T1-A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5092448Obraz NE58219-T1-A.CEL (California Eastern Laboratories)

NE58219-T1-A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NE58219-T1-A
  • Producent / marka
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NE58219-T1-A.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    12V
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-SuperMiniMold (19)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-75, SOT-416
  • Inne nazwy
    NE58219-T1-ACT
  • temperatura robocza
    125°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Zdobyć
    -
  • Częstotliwość - Transition
    5GHz
  • szczegółowy opis
    RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 5V
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    60mA
  • Podstawowy numer części
    NE58219

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NE58219-T1-A”.
NE57810S/N1,518

NE57810S/N1,518

Opis: IC DDR TERMINATION SPAK-5

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE592D8R2

NE592D8R2

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE5820M53-A

NE5820M53-A

Opis: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE58633BS,115

NE58633BS,115

Opis: IC AMP AUDIO .04W STER D 32HVQFN

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE592D8G

NE592D8G

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE592D14R2

NE592D14R2

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 14-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE592D14R2G

NE592D14R2G

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 14-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE592D14

NE592D14

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 14-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE57810S/G,518

NE57810S/G,518

Opis: IC DDR TERM REGULATOR SOT756

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE58633BS,157

NE58633BS,157

Opis: IC AMP AUDIO .04W STER D 32HVQFN

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE57811S/N1,518

NE57811S/N1,518

Opis: IC DDR TERMINATION SPAK-5

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE570DR2G

NE570DR2G

Opis: IC COMPANDOR DUAL GAIN 16-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE5820M53-T1-A

NE5820M53-T1-A

Opis: TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
RFQ
NE57811S/G,518

NE57811S/G,518

Opis: IC DDR TERM REGULATOR SOT756

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE57811S,518

NE57811S,518

Opis: IC DDR TERMINATION SPAK-5

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE57814DD,518

NE57814DD,518

Opis: IC DDR TERM W/STANDBY 8-SOIC

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE592D14G

NE592D14G

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 14-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE592D8

NE592D8

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NE57810S,518

NE57810S,518

Opis: IC DDR TERMINATION SPAK-5

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NE592D8R2G

NE592D8R2G

Opis: IC AMP VIDEO 2STAGE DIFF 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.