Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > AOH3110
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2022360Obraz AOH3110.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3110

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AOH3110
  • Producent / marka
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.AOH3110.pdf
    2.AOH3110.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    700 mOhm @ 900mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.1W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    785-1486-1
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    100pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AOH3110”.
BSS123L

BSS123L

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK9832-55A/CUX

BUK9832-55A/CUX

Opis: MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
AOH3254

AOH3254

Opis: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IXFT12N100

IXFT12N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Producenci: Transphorm
Na stanie
RFQ
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTM5N100

IXTM5N100

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
AOH3106

AOH3106

Opis: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NTD20N03L27

NTD20N03L27

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Opis: MOSFET N-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Opis: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NP40N10YDF-E1-AY

NP40N10YDF-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
IPP100N06S2L05AKSA1

IPP100N06S2L05AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQP6N60C

FQP6N60C

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Opis: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.