Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > AS4C8M16D1A-5TCNTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4598485Obraz AS4C8M16D1A-5TCNTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.645
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C8M16D1A-5TCNTR
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C8M16D1A-5TCNTR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    66-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    128Mb (8M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Czas dostępu
    700ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C8M16D1A-5TCNTR”.
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6TCN

AS4C8M16S-6TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.