Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C64M8D3-12BCNTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4192704Obraz AS4C64M8D3-12BCNTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3-12BCNTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$2.744
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C64M8D3-12BCNTR
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C64M8D3-12BCNTR.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (8x10.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    78-VFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (64M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Częstotliwość zegara
    800MHz
  • Czas dostępu
    20ns

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C64M8D3-12BCNTR”.
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D3-12BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3-12BINTR

AS4C64M8D3-12BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.