Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C16M16MSA-6BIN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2125608Obraz AS4C16M16MSA-6BIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16MSA-6BIN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$5.85
10+
$5.342
25+
$5.24
50+
$5.204
100+
$4.668
319+
$4.65
638+
$4.36
1276+
$4.175
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C16M16MSA-6BIN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C16M16MSA-6BIN.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    54-FBGA (8x8)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    54-VFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1454
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    256Mb (16M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5.5ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C16M16MSA-6BIN”.
AS4C16M16S-7BCN

AS4C16M16S-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TIN

AS4C16M16S-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TCNTR

AS4C16M16S-6TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.