Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > AS4C128M16D3LB-12BIN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5592456Obraz AS4C128M16D3LB-12BIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C128M16D3LB-12BIN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.88
10+
$6.279
25+
$6.159
50+
$6.117
209+
$5.487
418+
$5.466
627+
$5.125
1045+
$4.907
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C128M16D3LB-12BIN
  • Producent / marka
    Alliance Memory, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    AS4C128M16D3LB-12BIN.pdf
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    96-FBGA (13x9)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    96-TFBGA
  • Inne nazwy
    1450-1453
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (128M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • Częstotliwość zegara
    800MHz
  • Czas dostępu
    20ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AS4C128M16D3LB-12BIN”.
AS4C128M16D3L-12BIN

AS4C128M16D3L-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M32MD2-18BINTR

AS4C128M32MD2-18BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCN

AS4C128M16MD2A-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BANTR

AS4C128M16D3LA-12BANTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LB-12BINTR

AS4C128M16D3LB-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3L-12BINTR

AS4C128M16D3L-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M32MD2A-18BIN

AS4C128M32MD2A-18BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BAN

AS4C128M16D3LA-12BAN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LB-12BCNTR

AS4C128M16D3LB-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BINTR

AS4C128M16D3LA-12BINTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LB-12BCN

AS4C128M16D3LB-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BIN

AS4C128M16D3LA-12BIN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCNTR

AS4C128M16MD2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BCNTR

AS4C128M16D3LA-12BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.