Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVMSD6N303R2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5999270

NVMSD6N303R2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVMSD6N303R2G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    32 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    950pF @ 24V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 6A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVMSD6N303R2G”.
NVMFS6B75NLWFT1G

NVMFS6B75NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMS10P02R2G

NVMS10P02R2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B25NLT3G

NVMFS6B25NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B85NLT3G

NVMFS6B85NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMS4816NR2G

NVMS4816NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B85NLWFT1G

NVMFS6B85NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B75NLT1G

NVMFS6B75NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B85NLT1G

NVMFS6B85NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B75NLT3G

NVMFS6B75NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMS5P02R2G

NVMS5P02R2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H801NWFT1G

NVMFS6H801NWFT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B85NLWFT3G

NVMFS6B85NLWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B75NLWFT3G

NVMFS6B75NLWFT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B25NLWFT1G

NVMFS6B25NLWFT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.