Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVF3055L108T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4384748Obraz NVF3055L108T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVF3055L108T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.348
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVF3055L108T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVF3055L108T1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±15V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    120 mOhm @ 1.5A, 5V
  • Strata mocy (max)
    1.3W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    NVF3055L108T1G-ND
    NVF3055L108T1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    440pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVF3055L108T1G”.
NVF2201NT1G

NVF2201NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQB65N06TM

FQB65N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPA60R280P7SXKSA1

IPA60R280P7SXKSA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 12A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRL520STRL

IRL520STRL

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDWS86369-F085

FDWS86369-F085

Opis: MOSFET NCH 80V 65A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK9510-55A,127

BUK9510-55A,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTMFS6B03NT1G

NTMFS6B03NT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HAT2096H-EL-E

HAT2096H-EL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
NVF3055L108T3G

NVF3055L108T3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7237-55A,118

BUK7237-55A,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 32.3A DPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FDFM2N111

FDFM2N111

Opis: MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVF2955PT1G

NVF2955PT1G

Opis: MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVF2955T1G

NVF2955T1G

Opis: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLL1503TR

IRLL1503TR

Opis: MOSFET N-CH 30V SOT223

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVF3055-100T1G

NVF3055-100T1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVF5P03T3G

NVF5P03T3G

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVF6P02T3G

NVF6P02T3G

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.