Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVATS4A103PZT4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6298848

NVATS4A103PZT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.637
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVATS4A103PZT4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVATS4A103PZT4G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ATPAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    13 mOhm @ 28A, 10V
  • Strata mocy (max)
    60W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    33 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2430pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 60A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVATS4A103PZT4G”.
NVATS4A104PZT4G

NVATS4A104PZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A114PLZT4G

NVATS5A114PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A108PLZT4G

NVATS5A108PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS4A102PZT4G

NVATS4A102PZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 44A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A302PLZT4G

NVATS5A302PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVA4153NT1G

NVA4153NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVAR-02VS

NVAR-02VS

Opis: CONN SOCKET 2POS 7.92MM WHITE

Producenci: JST
Na stanie
RFQ
NVA4001NT1G

NVA4001NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V SC75

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF730ASPBF

IRF730ASPBF

Opis: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVATS5A304PLZT4G

NVATS5A304PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A112PLZT4G

NVATS5A112PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS68301PZT4G

NVATS68301PZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS4A101PZT4G

NVATS4A101PZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVATS5A113PLZT4G

NVATS5A113PLZT4G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TP5322K1-G

TP5322K1-G

Opis: MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
BSC084P03NS3EGATMA1

BSC084P03NS3EGATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SCH1439-TL-W

SCH1439-TL-W

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.