Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTP13N10
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6172322Obraz NTP13N10.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP13N10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTP13N10
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    NTP13N10.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    165 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    64.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    NTP13N10OS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTP13N10”.
NTP125N02RG

NTP125N02RG

Opis: MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-7PH001

NTP1-7PH001

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP27N06G

NTP27N06G

Opis: MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-5SH027

NTP1-5SH027

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP22N06

NTP22N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP18N06LG

NTP18N06LG

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-6PH001

NTP1-6PH001

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP200C01AA01

NTP200C01AA01

Opis: NT-P SERIES FILTER CAPSULE

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
NTP1-5SH019

NTP1-5SH019

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP18N06

NTP18N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-7SH003

NTP1-7SH003

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP18N06G

NTP18N06G

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-6SH001

NTP1-6SH001

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP18N06L

NTP18N06L

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-5SH008

NTP1-5SH008

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP1-7SH020

NTP1-7SH020

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP22N06L

NTP22N06L

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP1-7SH001

NTP1-7SH001

Opis: MICRO

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
NTP13N10G

NTP13N10G

Opis: MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTP27N06

NTP27N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.