Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTMFS4C08NAT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4611984

NTMFS4C08NAT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1500+
$0.342
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTMFS4C08NAT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.8 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1670pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 16.4A (Ta), 52A (Tc) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16.4A (Ta), 52A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTMFS4C08NAT1G”.
NTMFS4C06NBT3G

NTMFS4C06NBT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C05NAT1G

NTMFS4C05NAT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NT1G-001

NTMFS4C06NT1G-001

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NAT1G

NTMFS4C09NAT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C05NT3G

NTMFS4C05NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C05NT1G

NTMFS4C05NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NAT1G

NTMFS4C06NAT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NBT3G

NTMFS4C09NBT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C10NAT1G

NTMFS4C10NAT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NT3G

NTMFS4C09NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NBT1G

NTMFS4C09NBT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C08NT1G

NTMFS4C08NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NBT1G

NTMFS4C06NBT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C05NT1G-001

NTMFS4C05NT1G-001

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C08NT1G-001

NTMFS4C08NT1G-001

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C09NT1G-001

NTMFS4C09NT1G-001

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.