Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTJS3151PT1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4397781

Obraz NTJS3151PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS3151PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.114

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NTJS3151PT1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NTJS3151PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 100µA
Vgs (maks.)

±12V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

SC-88/SC70-6/SOT-363
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Strata mocy (max)

625mW (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy

NTJS3151PT1GOSTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

43 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

850pF @ 12V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

12V
szczegółowy opis

P-Channel 12V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.7A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NTJS3151PT1G”.

NTJD4158CT2G

Opis: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4152PT2G

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS4151PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3151PT2

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD5121NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4401NT2G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4401NT4G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS4160NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3157NT4G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4158CT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3151PT2G

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD5121NT2G

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS4151PT1

NTJS4151PT1

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3157NT2

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4401NT4

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4401NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3157NT2G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJD4401NT1

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3157NT4

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTJS3157NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.