Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTHD2102PT1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6843886Obraz NTHD2102PT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD2102PT1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTHD2102PT1
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    NTHD2102PT1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ChipFET™
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Moc - Max
    1.1W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    NTHD2102PT1OS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    715pF @ 6.4V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 2.5V
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    8V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.4A
  • Podstawowy numer części
    NTHD2102P

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTHD2102PT1”.
NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH456AANL

NTH456AANL

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHD2110TT1G

NTHD2110TT1G

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH456AA

NTH456AA

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHD3100CT3G

NTHD3100CT3G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH582AA

NTH582AA

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHC5513T1

NTHC5513T1

Opis: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHD3100CT3

NTHD3100CT3

Opis: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH567AD

NTH567AD

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTH456AAT

NTH456AAT

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTH582AAT

NTH582AAT

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHC5513T1G

NTHC5513T1G

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 1206A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHD3100CT1

NTHD3100CT1

Opis: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHD3101FT3G

NTHD3101FT3G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH519AD

NTH519AD

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHD3101FT3

NTHD3101FT3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTHD3101FT1G

NTHD3101FT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTH503AF

NTH503AF

Opis: IC CHIP

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
NTHD2102PT1G

NTHD2102PT1G

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.