Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTB13N10G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3537787Obraz NTB13N10G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB13N10G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTB13N10G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTB13N10G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D2PAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    165 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    64.7W (Ta)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTB13N10G”.
NTB18N06L

NTB18N06L

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB13N10T4G

NTB13N10T4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06T4G

NTB18N06T4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06LG

NTB18N06LG

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06

NTB18N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F

Opis: SUPERFET3 650V D2PAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06LT4G

NTB18N06LT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB22N06LT4

NTB22N06LT4

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB0104GU12,115

NTB0104GU12,115

Opis: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12XQFN

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTB0104BQ-Q100X

NTB0104BQ-Q100X

Opis: IC TRNSLTR BIDIR 14DHVQFN

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTB0104UK,012

NTB0104UK,012

Opis: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12WLCSP

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTB0104UK-Q100Z

NTB0104UK-Q100Z

Opis: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12WLCSP

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTB125N02RT4

NTB125N02RT4

Opis: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB125N02R

NTB125N02R

Opis: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06G

NTB18N06G

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB125N02RT4G

NTB125N02RT4G

Opis: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06LT4

NTB18N06LT4

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB18N06T4

NTB18N06T4

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB125N02RG

NTB125N02RG

Opis: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTB13N10

NTB13N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.