Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > NSVMMUN2235LT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
32084Obraz NSVMMUN2235LT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVMMUN2235LT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.069
6000+
$0.06
15000+
$0.051
30000+
$0.048
75000+
$0.045
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NSVMMUN2235LT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NSVMMUN2235LT1G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    2.2 kOhms
  • Moc - Max
    246mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    NSVMMUN2235LT1G-ND
    NSVMMUN2235LT1GOSTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NSVMMUN2235LT1G”.
NSVMSB92T1G

NSVMSB92T1G

Opis: TRANS PNP 300V BIPOLAR SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2233LT3G

NSVMMUN2233LT3G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMUN2212T1G

NSVMUN2212T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2236LT1G

NSVMMUN2236LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMSB1218A-RT1G

NSVMSB1218A-RT1G

Opis: TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2217LT1G

NSVMMUN2217LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2230LT1G

NSVMMUN2230LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2137LT1G

NSVMMUN2137LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMUN2112T1G

NSVMUN2112T1G

Opis: TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2132LT1G

NSVMMUN2132LT1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMSA1162GT1G

NSVMSA1162GT1G

Opis: TRANS PNP 45V BIPOLAR SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2232LT1G

NSVMMUN2232LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMSD601-RT1G

NSVMSD601-RT1G

Opis: TRANS NPN 50V BIPOLAR SC59-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2237LT1G

NSVMMUN2237LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2133LT1G

NSVMMUN2133LT1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2212LT1G

NSVMMUN2212LT1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2135LT1G

NSVMMUN2135LT1G

Opis: TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMUN2233T1G

NSVMUN2233T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMSD42WT1G

NSVMSD42WT1G

Opis: TRANS NPN 300V 0.15A SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSVMMUN2232LT3G

NSVMMUN2232LT3G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.