Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > NSBA114EDXV6T5
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3950248Obraz NSBA114EDXV6T5.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NSBA114EDXV6T5
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    NSBA114EDXV6T5.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-563
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    500mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Inne nazwy
    NSBA114EDXV6T5OS
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    NSBA1*

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NSBA114EDXV6T5”.
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB9703

NSB9703

Opis: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Producenci: Desco
Na stanie
RFQ
NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.