Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > NSB13ANT3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1395384Obraz NSB13ANT3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13ANT3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.105
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NSB13ANT3G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 13V 21.5V SMB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NSB13ANT3G.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    13V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    21.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    14.4V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMB
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    27.9A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    1160pF @ 1MHz
  • Podstawowy numer części
    NSB13A
  • Aplikacje
    General Purpose

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NSB13ANT3G”.
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Opis: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.